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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
4
I D = 6.1A
V DD = 10V
V DD = 15V
V DD = 20V
1000
100
C iss
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
3
6
9
12
20
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10 0μ s
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
1ms
T A = 25 o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
10ms
100ms
1s
DC
10
1
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-3
-2
-1
1
10
100
1000
2
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
0.1
t 1
t 2
R θ JA = 156 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
0.01
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC855N Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
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